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貼片電容的電介質(zhì)材料種類有哪幾種類型

NPO和C0G相互之間的關(guān)系：NPO是美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn)（MIL）中的說(shuō)法，也許應(yīng)該是NP0（零），但一般大家習(xí)慣寫成NPO（歐）這是Negative-Positive-Zero的略稱，用來(lái)透露的溫度特性說(shuō)明NPO的電容溫度特性很好，不隨反之亦然溫度變化而出現(xiàn)容值繞圈。

從前面我們已經(jīng)知道，C0G是I類陶瓷中溫度安定性最好的一種，溫度特性近似為0，滿足“負(fù)-正-零”的含義所以C0G也許和NPO是無(wú)異的，只不過(guò)是兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的兩種透露方法（當(dāng)然，容值更小、精度略緊接著的C0K、C0J等也是NPO電容）。

類似的，U2J對(duì)應(yīng)于MIL標(biāo)準(zhǔn)中的各組代碼為N750NPO是?種更常?的有著溫度補(bǔ)償特性的單?陶瓷電容器它的去除介質(zhì)是由銣、釤和?些這類貴重氧化物組成的NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最安定的電容器之?在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化?于±0.3ΔC。

NPO電容的繞圈或遲滯?于±0.05%，相對(duì)?于±2%的薄膜電容當(dāng)然是需要有忽略不計(jì)的其典型的容量相對(duì)使?壽命的變化?于±0.1%NPO電容器隨堆疊形式各有不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也各有不同，?堆疊尺?的要??堆疊尺?的頻率特性好。

下表給出了NPO電容器可挑出的容量范圍NPO電容器適合?于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及?頻電路中的耦合電容。

Ⅱ類陶瓷特點(diǎn)：Ⅱ類陶瓷電容器（ClassⅡ ceramic capacitor）過(guò)去叫作為低頻陶瓷電容器（Low frequency ceramiccapacitor），指有鐵電陶瓷作介質(zhì)的電容器，因此也稱鐵電陶瓷電容器。

這類電容器的比電容大，電容量隨溫度呈非線性變化，損耗較大，常在電子設(shè)備中用來(lái)旁路、耦合或用來(lái)這類對(duì)損耗和電容量安定性其要求不高的電路中其中Ⅱ類陶瓷電容器又分為安定級(jí)和會(huì)用級(jí)X5R、X7R僅限于Ⅱ類陶瓷的安定級(jí)，而Y5V和Z5U僅限于會(huì)用級(jí)。

X5R、X7R、Y5V、Z5U相互之間的區(qū)別：區(qū)別主要還在于溫度范圍和容值隨溫度的變化特性上。下表提示了這些代號(hào)的含義。

以X7R為例X 代表電容最低可工作在-55℃7 代表電容最高可工作在+125℃R 代表容值隨溫度的變化為±15%同樣的，Y5V高負(fù)荷工作溫度范圍在-30℃～+85℃, 對(duì)應(yīng)的電容容量變化為+22～-82%；而Z5U 高負(fù)荷工作溫度范圍在+10℃～+85℃，對(duì)應(yīng)的電容容量變化為+22～-56%。

X7R電容器被叫作溫度安定型的陶瓷電容器當(dāng)溫度在-55℃到+125℃時(shí)其容量變化為15%，需要有注意的是此時(shí)電容器容量變化是?線性的X7R電容器的容量在各有不同的電壓和頻率條件下是各有不同的，它也隨時(shí)間的變化?變化，?約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。

X7R電容器主要應(yīng)?于其要求不?的?業(yè)應(yīng)?，?且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是需要有接受的條件下它的主要特點(diǎn)是在大致相同的體積下電容量需要有做的?較?X7R/X7S/X5R/X6S電容器的特征值范圍如下拉沙泰格賴厄縣?(廠家各有不同特征值范圍有細(xì)密差異):。

Y5V電容器是?種有?定溫度限制的通?電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達(dá)+22%到-82%Y5V的?介電常數(shù)允許在較?的物理尺?下制造出?達(dá)4.7μF電容器Y5V電容器的別的技術(shù)指標(biāo)如下:?作溫度范圍。

-30℃ ~+85℃溫度特性 +22% ~-82% 介質(zhì)損耗最? 5%Z5U電容器叫作”通?”陶瓷單?電容器這??先需要有考慮的是使?溫度范圍，鑒于Z5U電容器主要的是它的?尺?和低成本鑒于上述三種陶瓷單?電容器當(dāng)然在大致相同的體積下Z5U電容器有最?的電容量。

但它的電容量受環(huán)境和?作條件影響較?，它的?化率最?可達(dá)每10年下降5%總體而言它的容量不安定，由于它有著?體積、配分函數(shù)串聯(lián)電感（ESL）和配分函數(shù)串聯(lián)電阻（ESR）低、優(yōu)良的頻率響應(yīng)，使其總體而言它的容量不安定，由于它有著?體積、配分函數(shù)串聯(lián)電感（ESL）和配分函數(shù)串聯(lián)電阻（ESR）低、優(yōu)良的頻率響應(yīng)，使其有著?泛的應(yīng)?范圍。

尤其是在退耦電路的應(yīng)?中Z5U電容器的別的技術(shù)指標(biāo)如下:?作溫度范圍+10℃ ~ +85℃溫度特性 +22% ~-56% 介質(zhì)損耗最? 4%COG/NPO/Y5V/Z5U電容器的特征值范圍如下拉沙泰格賴厄縣?(廠家各有不同特征值范圍有細(xì)密差異):。

貼片電阻在電路上出現(xiàn)問題，有可能是貼片電容本身質(zhì)量不良，亦有可能是設(shè)計(jì)時(shí)挑出規(guī)格差劣或是在表面Bokaro機(jī)械力熱沖擊等對(duì)貼片電容誘發(fā)一定的損傷等因素誘發(fā)正確選擇一顆貼片電容時(shí)，除了要提供其規(guī)格尺寸及容量大小外，還必須特別注意到電路對(duì)這顆片式電容的溫度系數(shù)、額定電壓等參數(shù)的其要求。

貼片電容標(biāo)準(zhǔn)命名方法及定義：貼片電容的命名，國(guó)內(nèi)和國(guó)外的產(chǎn)家有一些區(qū)別呂齊縣包含的參數(shù)是無(wú)異的?